GaAs/AlAs 超晶格多层膜膜厚标准物质可用于与多个厚度尺寸相关的设备校准，包括表面分析设 备，如俄歇电子光谱仪、X 射线光电能谱仪及二次离子质谱仪的溅射速率校准；以及用于透射电镜的10 万倍到 30 万倍的中倍放大倍率校准。

一、样品制备

采用分子束外延生长方法，在 GaAs(100)基底上生长每层膜厚名义量值为 10 nm 的 GaAs/AlAs 超 晶格 3 周期，切割为 20 mm × 20 mm 的正方形，经定值测量后采用铝箔包装袋真空包装。

二、溯源性及定值方法

采用掠入射 X 射线反射技术为样品定值，此设备为计量校准装置，角度溯源至多齿分度台标准 装置，入射光波长溯源至单晶硅晶格参数。通过使用满足计量学特性要求的测量方法和计量器具保 证其量值溯源性。

三、特性量值及不确定度

本标准物质是 6 层结构的多层膜。样品在定值和使用过程中会在表面形成一层氧化或污染层，其量值仅供参考。从第二层到第六层标准值及扩展不确定度见下表：

不确定度评定中考虑了测量过程、测量设备、均匀性及稳定性等引入的不确定度分量。

四、均匀性检验及稳定性考察

依据 JJF1343-2012《标准物质定值的通用原则及统计学原理》要求，对该标准物质样品随机抽 样进行均匀性检验和一年稳定性的监测。检验结果表明该标准物质均匀性、稳定性良好，研制单位将继续跟踪监测该标准物质的稳定性， 有效期内如发现量值变化，将及时通知用户。

五、包装、储存及使用

包装：本标准物质内包装为半导体封装盒，外包装为铝箔真空袋，每包装为一片，20 mm × 20 mm；

储存：真空包装，阴凉、干燥处存放；

使用注意事项：样品开封使用应保证取样工具等洁净避免沾污。建议本标准物质开封后用于一次检定/校准活动，在确保使用后无变形、无污染时可多次使用，但其量值仅可作为期间核查。