薄膜厚度标准物质系列：
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编号
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名称
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特性量
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标准值（nm）
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扩展不确定度（nm）(k=2)
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GBW13957
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二氧化硅薄膜膜厚标准物质
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SiO2层
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12.56
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0.30
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GBW13958
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二氧化硅薄膜膜厚标准物质
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SiO2层
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20.26
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0.36
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GBW13959
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二氧化硅薄膜膜厚标准物质
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SiO2层
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57.62
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0.50
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GBW13960
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二氧化硅薄膜膜厚标准物质
|
SiO2层
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106.1
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1.7
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GBW13961
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氮化硅薄膜膜厚标准物质
|
Si3N4层
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51.66
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0.28
|
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GBW13962
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氮化硅薄膜膜厚标准物质
|
Si3N4层
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104.91
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0.32
|
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GBW13963
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氮化硅薄膜膜厚标准物质
|
Si3N4层
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151.8
|
1.0
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GBW13964
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氮化硅薄膜膜厚标准物质
|
Si3N4层
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205.0
|
1.5
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GBW13965
|
二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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9.92
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0.40
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GBW13966
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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16.24
|
0.28
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GBW13967
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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21.70
|
0.42
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GBW13968
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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25.96
|
0.30
|
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GBW13969
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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35.75
|
0.48
|
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GBW13970
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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45.61
|
0.35
|
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GBW13971
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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50.96
|
0.85
|
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GBW13972
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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76.80
|
1.30
|
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GBW13973
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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102.2
|
2.6
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GBW13974
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二氧化硅纳米薄膜厚度标准物质
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119.1
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1.6
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GBW13979
|
氧化铪薄膜膜厚标准物质
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HfO2层
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1.07
|
0.04
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GBW13980
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氧化铪薄膜膜厚标准物质
|
HfO2层
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4.73
|
0.04
|
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GBW13981
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氧化铪薄膜膜厚标准物质
|
HfO2层
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9.37
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0.06
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氧化铪薄膜膜厚标准物质用于校准表面分析设备如俄歇电子光谱仪、X 射线光电能谱仪及二次离子质谱仪的溅射速率，薄膜厚度测量设备如椭偏仪，确保这些设备在 1nm~10nm 范围测量时量值准确性、可比性，满足纳米材料及器件设计、制造等单位的需求。
一、样品制备（系列：GBW13979、GBW13980、GBW13981 氧化铪薄膜膜厚标准物质）
采用 ALD 生长方法，在 Si 基底上生长膜厚名义量值为 10 nm 的 Al2O3 作为界面缓冲层，在界面缓冲层上面沉积了名义值厚度为 1 nm 的 HfO2 薄膜，切割为 20 mm × 20 mm 的正方形，校准合格后采用铝箔包装袋真空包装。
二、溯源性及定值方法
采用纳米薄膜厚度校准装置（[2014]国量标计证第 273 号）对标准物质定值。该校准装置基于布拉格方程，通过波长、角度测量的计量溯源，建立标准物质特性量值的计量溯源性，其中：角度测量量值通过激光干涉仪和自准直仪溯源至国家角度基准；X 射线波长测量量值通过单晶硅晶格参数溯源至长度的 SI 单位-米（m）。
三、特性量值及不确定度
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名 称
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编 号
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厚度 (nm)
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特性
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表面层
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HfO2层
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Al2O3层
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SiO2层
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氧化铪薄膜膜厚标准物质
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GBW13979
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特性值
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(2.16)
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1.07
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(9.51)
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(0.21)
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扩展不确定度 (k=2)
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/
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0.04
|
/
|
/
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注：HfO2 层厚度为标准值，其余括号内的特性值为指示值（信息值）。
标准值不确定度包括测量过程、测量设备、均匀性及稳定性等不确定度分量。
四、均匀性及稳定性评估
参照 JJF1343 国家计量技术规范（等效 ISO 指南 35），采用掠入射 X 射线反射技术，通过方差分析法进行均匀性评估，评估结果表明，样品均匀性良好；采用掠入射 X 射线反射技术，对样品进行稳定性评估，评估结果表明，样品稳定性良好。
本标准物质自定值日期起有效期 12 个月，研制单位将继续跟踪监测该标准物质的稳定性，有效期内如发现量值变化，将及时通知用户。
五、包装、贮存及使用
包装：本标准物质内包装为半导体封装盒，外包装为铝箔真空袋，每包装为一片，20 mm × 20 mm；
贮存：真空包装，阴凉、干燥处存放；
使用注意事项：样品开封使用应保证取样工具等洁净避免沾污。建议本标准物质开封后用于一次检定/校准活动，在确保使用后无变形、无污染时可多次使用，但其量值仅可作为期间核查。